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DMN63D8LDW-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN63D8LDW-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
渠道:
digikey

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数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

DMN63D8LDW-13

制造商

DIODES(美台)

商品描述

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

2 N-Channel (Dual)

FET 功能

Logic Level Gate

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

220mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

2.8Ohm @ 250mA, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

870nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

22pF @ 25V

功率 - 最大值

300mW

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装

SOT-363

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型号:DMN63D8LDW-13

品牌:DIODES

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