DMN67D8LDW-13
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- 制造商编号：
- DMN67D8LDW-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.942537 | ￥9425.37 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 821 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
DMN67D8LDW-13 同类别型号
注
DMN67D8LDW-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN67D8LDW-13
数据手册PDF
。
DMN67D8LDW-13
型号：DMN67D8LDW-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.942537 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00