DMN3401LDW-13
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- 制造商编号：
- DMN3401LDW-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.783524 | ￥2.78 |
| 10 | ￥2.066808 | ￥20.67 |
| 100 | ￥1.170664 | ￥117.07 |
| 500 | ￥0.775136 | ￥387.57 |
| 1000 | ￥0.594274 | ￥594.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13.8 ns
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.8 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
DMN3401LDW-13 同类别型号
注
DMN3401LDW-13
型号：DMN3401LDW-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.783524 |
| 10+： | ￥2.066808 |
| 100+： | ￥1.170664 |
| 500+： | ￥0.775136 |
| 1000+： | ￥0.594274 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.78