
货期: 8周-10周
起订量:10000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ¥0.915762 | ¥9157.62 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 410 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN62D0UDW-13
型号:DMN62D0UDW-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10000+: | ¥0.915762 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00