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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
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0SSM6N15AFE,LM
型号:SSM6N15AFE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
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