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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1.756436 | ¥1.76 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 2.2 Ohms, 2.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns, 36 ns
典型接通延迟时间 18 ns, 18 ns
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 36 mg
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0SSM6N37FE,LM
型号:SSM6N37FE,LM
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥1.756436 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.76