
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥3.788293 | ¥9470.73 |
| 5000 | ¥3.607886 | ¥18039.43 |
| 12500 | ¥3.441416 | ¥43017.70 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35.2 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
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0DMNH6012SPSQ-13
型号:DMNH6012SPSQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥3.788293 |
| 5000+: | ¥3.607886 |
| 12500+: | ¥3.441416 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00