货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.90755 | ¥2722.65 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 821 pC
耗散功率 320 mW
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN67D8LDW-7
型号:DMN67D8LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.90755 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00