货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥4.933838 | ¥9867.68 |
6000 | ¥4.576314 | ¥27457.88 |
10000 | ¥4.397552 | ¥43975.52 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 116 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 122 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD100N03-3M2L_GE3
型号:SQD100N03-3M2L_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥4.933838 |
6000+: | ¥4.576314 |
10000+: | ¥4.397552 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00