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DMG1023UVQ-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG1023UVQ-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:10000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10000 0.95549 9554.90

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 1.03 A

漏源电阻 25 Ohms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 622 pC

耗散功率 530 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 8.1 ns

上升时间 8.1 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 28.4 ns

典型接通延迟时间 5.1 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 6 mg

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DMG1023UVQ-13

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型号:DMG1023UVQ-13

品牌:DIODES

供货:锐单

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