DMN31D5UDA-7B
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- 制造商编号：
- DMN31D5UDA-7B
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥1.115552 | ￥11155.52 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 4.5 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 380 pC
耗散功率 370 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.5 ns
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
DMN31D5UDA-7B 同类别型号
注
DMN31D5UDA-7B
型号：DMN31D5UDA-7B
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥1.115552 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00