2N6766T1
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- 制造商编号：
- 2N6766T1
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V TO-254AA
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
2N6766T1
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 200V TO-254AA
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
115nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4W (Ta), 150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-254AA
封装/外壳
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
2N6766T1 同类别型号
注
2N6766T1品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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2N6766T1
型号：2N6766T1
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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