货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.605705 | ¥1817.12 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN65D8LDWQ-7
型号:DMN65D8LDWQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.605705 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00