货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥7.236597 | ¥1809.15 |
500 | ¥6.394995 | ¥3197.50 |
1250 | ¥5.048674 | ¥6310.84 |
2500 | ¥4.712126 | ¥11780.31 |
6250 | ¥4.476497 | ¥27978.11 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 5.2 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 86.200 mg
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0CSD18511Q5AT
型号:CSD18511Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥7.236597 |
500+: | ¥6.394995 |
1250+: | ¥5.048674 |
2500+: | ¥4.712126 |
6250+: | ¥4.476497 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00