DMC2057UVT-13

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 4 A, 3.3 A

漏源电阻 42 mOhms, 70 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV, 1 V

栅极电荷 10.5 nC, 6.5 nC

耗散功率 1.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 3.1 ns, 22.2 ns

上升时间 3.3 ns, 15.5 ns

典型关闭延迟时间 12.2 ns, 38.5 ns

典型接通延迟时间 2.6 ns, 4.4 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg