SSM6L35FU(TE85L,F)
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- 制造商编号：
- SSM6L35FU(TE85L,F)
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.615014 | ￥1845.04 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 180 mA, 100 mA
漏源电阻 11 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 300 ns, 251 ns
典型接通延迟时间 115 ns, 175 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
SSM6L35FU(TE85L,F) 同类别型号
注
SSM6L35FU(TE85L,F)
型号：SSM6L35FU(TE85L,F)
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.615014 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00