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起订量:10000
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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.614084 | ¥6140.84 |
30000 | ¥0.574465 | ¥17233.95 |
50000 | ¥0.515036 | ¥25751.80 |
100000 | ¥0.50711 | ¥50711.00 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 680 mA, 460 mA
漏源电阻 450 mOhms, 1.1 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV, 1.1 V
栅极电荷 1.64 nC, 1.1 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 35 ns
上升时间 8 ns, 9 ns
典型关闭延迟时间 17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC3730UVT-13
型号:DMC3730UVT-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥0.614084 |
30000+: | ¥0.574465 |
50000+: | ¥0.515036 |
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