NTND31225CZTAG

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 220 mA, 127 mA

漏源电阻 800 mOhms, 2.1 Ohms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 -

耗散功率 125 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 80 ns, 171 ns

正向跨导（Min） 0.48 S, 0.35 S

上升时间 25.5 ns, 71 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 142 ns, 280 ns

典型接通延迟时间 16.5 ns, 37 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2.600 mg