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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.730542 | ¥7305.42 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 455 mA
漏源电阻 500 mOhms, 500 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 410 pC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 12 ns
上升时间 3.4 ns, 3.4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns, 4.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMN21D1UDA-7B
型号:DMN21D1UDA-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.730542 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00