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DMN21D1UDA-7B

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN21D1UDA-7B
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:10000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
10000 0.730542 7305.42

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 455 mA

漏源电阻 500 mOhms, 500 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 410 pC

耗散功率 310 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 12 ns, 12 ns

上升时间 3.4 ns, 3.4 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 24 ns, 24 ns

典型接通延迟时间 4.5 ns, 4.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1 mg

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DMN21D1UDA-7B

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型号:DMN21D1UDA-7B

品牌:DIODES

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