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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.340534 | ¥13405.34 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.6 A, 3.2 A
漏源电阻 35 mOhms, 74 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 3.6 nC, 5.9 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.6 ns, 18 ns
上升时间 3 ns, 7.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12.5 ns, 31 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns, 3.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC2053UVT-13
型号:DMC2053UVT-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥1.340534 |
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