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制造商 Central Semiconductor
商标 Central Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 1.35 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 16.8 nC
耗散功率 140 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0CDM7-650 TR13 PBFREE
型号:CDM7-650 TR13 PBFREE
品牌:CENTRAL
供货:锐单
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