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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.291052 | ¥3873.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 60 mOhms, 95 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV, 1.8 V
栅极电荷 13 nC, 9 nC
耗散功率 1.12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 13 ns
正向跨导(Min) 4 S, 6 S
上升时间 5 ns, 7.3 ns
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG6602SVTX-7
型号:DMG6602SVTX-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.291052 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00