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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.582278 | ¥1746.83 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.2 A, 900 mA
漏源电阻 400 mOhms, 700 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 600 fC, 700 fC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 174 ns, 445 ns
上升时间 3.1 ns, 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 386 ns, 1247 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns, 5.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC2710UVT-7
型号:DMC2710UVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥0.582278 |
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