DMC67D8UFDBQ-13

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V, 20 V

漏极电流 390 mA, 2.9 A

漏源电阻 4 Ohms, 72 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 2.5 V, 1.25 V

栅极电荷 400 fC, 7.3 nC

耗散功率 580 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 22 ns, 41 ns

上升时间 3.6 ns, 20 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 102 ns, 38 ns

典型接通延迟时间 3.7 ns, 12 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 65 mg