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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.73121 | ¥7312.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 450 mA
漏源电阻 600 mOhms, 600 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.4 ns, 6.4 ns
正向跨导(Min) 180 ms, 180 ms
上升时间 3.3 ns, 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 4 ns, 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 270 mg
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0DMN2990UDJQ-7
型号:DMN2990UDJQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥0.73121 |
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