EFC3C001NUZTCG
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 15 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 47000 ns
上升时间 350 ns
典型关闭延迟时间 42000 ns
典型接通延迟时间 50 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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注
EFC3C001NUZTCG
型号：EFC3C001NUZTCG
品牌：ON
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