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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥1.310726 | ¥13107.26 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.6 A, 2.8 A
漏源电阻 60 mOhms, 95 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 11.3 nC, 8.6 nC
耗散功率 830 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.7 ns, 29.5 ns
上升时间 30.8 ns, 17.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18.3 ns, 17.8 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns, 7.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC3060LVT-13
型号:DMC3060LVT-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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10000+: | ¥1.310726 |
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