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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0IPU50R2K0CEBKMA1
型号:IPU50R2K0CEBKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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