SI7686DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7686DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：670
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.375731 | ￥23.38 |
| 10 | ￥21.066492 | ￥210.66 |
| 100 | ￥16.92828 | ￥1692.83 |
| 500 | ￥13.908701 | ￥6954.35 |
| 1000 | ￥11.921622 | ￥11921.62 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 37.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7686DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SI7686DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7686DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI7686DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7686DP-T1-GE3
型号：SI7686DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：670 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.375731 |
| 10+： | ￥21.066492 |
| 100+： | ￥16.92828 |
| 500+： | ￥13.908701 |
| 1000+： | ￥11.921622 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.38