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SIRA20DP-T1-RE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIRA20DP-T1-RE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :8727

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.041745 19.04
10 16.980898 169.81
100 13.242449 1324.24
500 10.939603 5469.80
1000 8.636516 8636.52

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 580 uOhms

栅极电压 - 12 V, + 16 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 200 nC

耗散功率 104 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 506.600 mg

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SIRA20DP-T1-RE3

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型号:SIRA20DP-T1-RE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:8727 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.041745
10+: ¥16.980898
100+: ¥13.242449
500+: ¥10.939603
1000+: ¥8.636516

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