
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.674332 | ¥2023.00 |
| 6000 | ¥0.646362 | ¥3878.17 |
| 9000 | ¥0.58169 | ¥5235.21 |
| 30000 | ¥0.573076 | ¥17192.28 |
| 75000 | ¥0.538616 | ¥40396.20 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 400 mOhms, 400 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 950 pC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10.5 ns, 10.5 ns
正向跨导(Min) 200 mS, 200 mS
上升时间 7.3 ns, 7.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.8 ns, 13.8 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns, 4.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN2004DWKQ-7
型号:DMN2004DWKQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.674332 |
| 6000+: | ¥0.646362 |
| 9000+: | ¥0.58169 |
| 30000+: | ¥0.573076 |
| 75000+: | ¥0.538616 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00