DMN2025UFDB-13
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN2025UFDB-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.703699 | ￥7036.99 |
| 30000 | ￥0.693282 | ￥20798.46 |
| 50000 | ￥0.65156 | ￥32578.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 12.3 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.3 ns
上升时间 5.4 ns
典型关闭延迟时间 17.6 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
DMN2025UFDB-13 同类别型号
注
DMN2025UFDB-13
型号：DMN2025UFDB-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.703699 |
| 30000+： | ￥0.693282 |
| 50000+： | ￥0.65156 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00