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SSM6N55NU,LF

Toshiba(东芝)
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制造商编号:
SSM6N55NU,LF
制造商:
Toshiba(东芝)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
渠道:
digikey

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起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 U-MOSVII-H

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4 A

漏源电阻 64 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 2.5 nC

耗散功率 1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

晶体管类型 2 N-Channel

外形参数

高度 0.75 mm

长度 2 mm

宽度 2 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8.500 mg

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型号:SSM6N55NU,LF

品牌:Toshiba

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