货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.912994 | ¥17.91 |
10 | ¥16.110138 | ¥161.10 |
100 | ¥12.949362 | ¥1294.94 |
500 | ¥10.638932 | ¥5319.47 |
1000 | ¥8.815159 | ¥8815.16 |
2000 | ¥8.207273 | ¥16414.55 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 9.9 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Triple
下降时间 4.5 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN2010FNH,L1Q
型号:TPN2010FNH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.912994 |
10+: | ¥16.110138 |
100+: | ¥12.949362 |
500+: | ¥10.638932 |
1000+: | ¥8.815159 |
2000+: | ¥8.207273 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.91