
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.5386 | ¥20.54 |
| 10 | ¥18.47149 | ¥184.71 |
| 100 | ¥14.847421 | ¥1484.74 |
| 500 | ¥12.198339 | ¥6099.17 |
| 1000 | ¥10.107245 | ¥10107.25 |
| 2000 | ¥9.410258 | ¥18820.52 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 9.9 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Triple
下降时间 4.5 ns
上升时间 5.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN2010FNH,L1Q
型号:TPN2010FNH,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.5386 |
| 10+: | ¥18.47149 |
| 100+: | ¥14.847421 |
| 500+: | ¥12.198339 |
| 1000+: | ¥10.107245 |
| 2000+: | ¥9.410258 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.54