
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.524604 | ¥23.52 |
| 10 | ¥19.531613 | ¥195.32 |
| 100 | ¥15.544811 | ¥1554.48 |
| 500 | ¥13.153968 | ¥6576.98 |
| 1000 | ¥11.160876 | ¥11160.88 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 5.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 98 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 47 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7149DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7149DP-T1-GE3
型号:SI7149DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.524604 |
| 10+: | ¥19.531613 |
| 100+: | ¥15.544811 |
| 500+: | ¥13.153968 |
| 1000+: | ¥11.160876 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.52