货期: 8周-10周
起订量:24
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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24 | ¥989.443913 | ¥23746.65 |
制造商 onsemi
产品 IGBT Silicon Carbide Modules
商标 onsemi
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.77 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
栅极—射极漏泄电流 800 nA
耗散功率 186 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 SiC
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Press Fit
产品类型 IGBT Modules
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0NXH100B120H3Q0STG
型号:NXH100B120H3Q0STG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
24+: | ¥989.443913 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00