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NXH100B120H3Q0STG

ON(安森美)
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制造商编号:
NXH100B120H3Q0STG
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管IGBT
商品描述:
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:24

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
24 989.443913 23746.65

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

产品 IGBT Silicon Carbide Modules

商标 onsemi

技术类参数

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V

饱和电压 1.77 V

在25 C的连续集电极电流 50 A

栅极—射极漏泄电流 800 nA

耗散功率 186 W

栅极/发射极最大电压 20 V

技术 SiC

物理类型

产品种类 IGBT 模块

安装风格 Press Fit

产品类型 IGBT Modules

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型号:NXH100B120H3Q0STG

品牌:ON

供货:锐单

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24+: ¥989.443913

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