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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.947011 | ¥2841.03 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 87 mOhms, 87 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 2.5 S, 2.5 S
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.3 ns, 8.3 ns
典型接通延迟时间 11.5 ns, 11.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM6N39TU,LF
型号:SSM6N39TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.947011 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00