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起订量:249
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数量 | 价格 | 总计 |
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249 | ¥0.66662 | ¥165.99 |
300 | ¥0.583238 | ¥174.97 |
500 | ¥0.555445 | ¥277.72 |
1000 | ¥0.555445 | ¥555.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.11 A
漏源电阻 195 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 530 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.800 mg
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0DMN2300UFL4-7
型号:DMN2300UFL4-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
249+: | ¥0.66662 |
300+: | ¥0.583238 |
500+: | ¥0.555445 |
1000+: | ¥0.555445 |
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