DMC1229UFDB-13
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- 制造商编号：
- DMC1229UFDB-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.833843 | ￥8338.43 |
| 30000 | ￥0.790607 | ￥23718.21 |
| 50000 | ￥0.772076 | ￥38603.80 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.6 A, 3.8 A
漏源电阻 17 mOhms, 37 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 19.6 nC, 17.9 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.1 ns, 26.4 ns
正向跨导（Min） -
上升时间 10.5 ns,11.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16.6 ns, 27.8 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 mg
DMC1229UFDB-13 同类别型号
注
DMC1229UFDB-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMC1229UFDB-13
数据手册PDF
。
DMC1229UFDB-13
型号：DMC1229UFDB-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.833843 |
| 30000+： | ￥0.790607 |
| 50000+： | ￥0.772076 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00