EFC6604R-TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 29 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 66 mg
EFC6604R-TR 同类别型号
注
EFC6604R-TR品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EFC6604R-TR
数据手册PDF。
EFC6604R-TR
型号：EFC6604R-TR
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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