DMN63D1LV-7
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- 制造商编号：
- DMN63D1LV-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.729102 | ￥5187.31 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 550 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 392 pC
耗散功率 940 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.9 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
DMN63D1LV-7 同类别型号
注
DMN63D1LV-7
型号：DMN63D1LV-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.729102 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00