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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V, 12 V
漏极电流 500 mA, 3.5 A
漏源电阻 4 Ohms, 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV, 350 mV
栅极电荷 900 pC, 24.5 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.3 ns, 6.5 ns
上升时间 1.4 ns, 2.7 ns
典型关闭延迟时间 5.7 ns, 9.8 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns, 1.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC25D1UVT-7
型号:DMC25D1UVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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