货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.215904 | ¥22.22 |
10 | ¥18.429102 | ¥184.29 |
100 | ¥14.667545 | ¥1466.75 |
500 | ¥12.411116 | ¥6205.56 |
1000 | ¥10.530592 | ¥10530.59 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 113 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
正向跨导(Min) 286 S
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 99.445 mg
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0NVMJS2D5N06CLTWG
型号:NVMJS2D5N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.215904 |
10+: | ¥18.429102 |
100+: | ¥14.667545 |
500+: | ¥12.411116 |
1000+: | ¥10.530592 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.22