SSM6N61NU,LF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SSM6N61NU,LF
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
产品 MOSFETs
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 108 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 12 S
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
类型 Silicon N-Channel MOS
单位重量 8.500 mg
SSM6N61NU,LF 同类别型号
注
SSM6N61NU,LF品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SSM6N61NU,LF
数据手册PDF
。
SSM6N61NU,LF
型号：SSM6N61NU,LF
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00