货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.565205 | ¥13695.61 |
6000 | ¥4.347807 | ¥26086.84 |
9000 | ¥4.14711 | ¥37323.99 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 14.2 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS892DN-GE3
单位重量 1 g
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0SIS892DN-T1-GE3
型号:SIS892DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.565205 |
6000+: | ¥4.347807 |
9000+: | ¥4.14711 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00