货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.031894 | ¥19.03 |
10 | ¥15.59869 | ¥155.99 |
100 | ¥12.136876 | ¥1213.69 |
500 | ¥10.286926 | ¥5143.46 |
1000 | ¥8.37988 | ¥8379.88 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 14.2 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS892DN-GE3
单位重量 1 g
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0SIS892DN-T1-GE3
型号:SIS892DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.031894 |
10+: | ¥15.59869 |
100+: | ¥12.136876 |
500+: | ¥10.286926 |
1000+: | ¥8.37988 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.03