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SI5411EDU-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI5411EDU-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
渠道:
digikey

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起订量:1

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定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.122141 8.12
10 6.336422 63.36
30 6.221215 186.64
100 6.120408 612.04

规格参数

属性
参数值

制造商型号

SI5411EDU-T1-GE3

制造商

SILICONIX(威世)

商品描述

MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

包装

Cut Tape (CT)

系列

TrenchFET®

零件状态

Obsolete

FET 类型

P-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

8.2mOhm @ 6A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

105nC @ 8V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

4100pF @ 6V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作温度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

PowerPAK® ChipFet Single

封装/外壳

PowerPAK® ChipFET™ Single

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