PMDPB85UPE,115
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- 制造商编号：
- PMDPB85UPE,115
- 制造商：
- Nexperia(安世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.915183 | ￥5745.55 |
规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 82 mOhms, 82 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 1.17 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 21 ns, 21 ns
正向跨导（Min） 6 S, 6 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns, 47 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934066843115
单位重量 6.750 mg
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注
PMDPB85UPE,115品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 射频晶体管
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、PMDPB85UPE,115
数据手册PDF。
PMDPB85UPE,115
型号：PMDPB85UPE,115
品牌：Nexperia
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.915183 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00