DMC1030UFDBQ-13
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- 制造商编号：
- DMC1030UFDBQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
- 渠道：
- digikey
库存 ：10000
货期：（7~10天）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥1.946815 | ￥19468.15 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.1 A, 3.9 A
漏源电阻 34 mOhms, 59 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 23.1 nC, 20.8 nC
耗散功率 1.36 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMC1030UFDBQ-13 同类别型号
注
DMC1030UFDBQ-13
型号：DMC1030UFDBQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：10000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥1.946815 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00