EFC2J013NUZTDG
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥1.501829 | ￥7509.15 |
| 10000 | ￥1.446204 | ￥14462.04 |
| 25000 | ￥1.395853 | ￥34896.32 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 37 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 73 us
上升时间 26 us
晶体管类型 Dual N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 130 us
典型接通延迟时间 11 us
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
EFC2J013NUZTDG 同类别型号
注
EFC2J013NUZTDG品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EFC2J013NUZTDG
数据手册PDF。
EFC2J013NUZTDG
型号：EFC2J013NUZTDG
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥1.501829 |
| 10000+： | ￥1.446204 |
| 25000+： | ￥1.395853 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00